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産品中心

質量體系

GaN-on-Sapphire for RF

尺寸2"/4"/6"

 

主要結構(HEMT結構):

高擊穿電壓(>2000V)和極低的緩沖區泄漏電流(~nA/mm)

良好的均勻性和再現性

高電子濃度、高電子遷移率和低方塊電阻


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